[发明专利]通孔及其制造方法在审
| 申请号： | 202011171786.5 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN114420670A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 徐建华;曾招钦 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通孔，包括：通孔开口以及将通孔开口完全填充的Ti层、胶水层和钨层；Ti层进行了退火处理使Ti层和通孔开口的底部的硅衬底发生硅化反应并形成TiSi层；钨层包括钨籽晶层和钨主体层；钨籽晶层覆盖在所述胶水层表面上；胶水层由TiN层组成并分成多个TiN子层，全部或部分TiN子层受到了退火处理，受到退火处理的TiN子层的颗粒的大小由对应的TiN子层的厚度限制且颗粒的大小限制为使钨籽晶层为连续结构。本发明公开了一种通孔的制造方法。本发明能采用和胶水层相组合的Ti层自对准形成TiSi层，同时能防止TiSi层的退火使胶水层产生较大的晶格颗粒，从而能使钨籽晶层为连续结构并防止钨层中出现缝隙。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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