[发明专利]铜填充凹槽结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202011171811.X | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN114420671A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 曾招钦;鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜填充凹槽结构，包括：凹槽，形成于第一介质层中；在凹槽的底部表面和侧面形成有阻挡层；在阻挡层的表面形成钴层和钌层；铜层将形成有阻挡层、钴层和钌层的所述凹槽完全填充并形成铜填充凹槽结构；铜层完全由铜电镀膜组成；由钴层和钌层叠加形成铜层的辅助成核膜层。本发明还公开了一种铜填充凹槽结构的制造方法。本发明铜层不含铜籽晶层，完全由铜电镀膜组成，从而能提高在凹槽中填充铜的能力，有利于铜填充凹槽结构的缩小，特别适用于作为14nm工艺节点以下的铜连线和通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 凹槽 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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