[发明专利]半导体器件和方法在审
| 申请号： | 202011172451.5 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112750772A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 蔡雅怡;郭韦廷;杨宜伟;古淑瑗 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件和方法。一种方法包括：在衬底上形成第一鳍和第二鳍；在所述第一鳍和所述第二鳍之上形成虚设栅极材料；使用第一蚀刻工艺蚀刻所述虚设栅极材料，以在所述第一鳍和所述第二鳍之间形成凹槽，其中，在所述第一蚀刻工艺期间，在所述凹槽的侧壁上形成牺牲材料；用绝缘材料填充所述凹槽；使用第二蚀刻工艺去除所述虚设栅极材料和所述牺牲材料；以及在所述第一鳍之上形成第一替换栅极并在所述第二鳍之上形成第二替换栅极，其中，所述第一替换栅极通过所述绝缘材料与所述第二替换栅极分隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
