[发明专利]气隙式膜体声谐振器在审
| 申请号： | 202011173037.6 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112737539A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 金炳宪;高庸熏;文雅英 | 申请（专利权）人： | 天津威盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种气隙式膜体声谐振器(FBAR)。该气隙式FBAR包括：基板，其包括气隙部分，该气隙部分具有形成在顶表面中的基板腔；下电极，其形成在所述基板上；压电层，其形成在所述下电极上并且其一侧在根据所述气隙部分的垂直投影的虚拟边缘附近形成边缘部分；上电极，其形成在所述压电层上；第一电极框架，其包括在平面中的开环结构，该开环结构围绕所述下电极上的所述压电层的外周的一部分；以及第二电极框架，其定位在所述上电极上并邻近所述开环结构的开口部分。 | ||
| 搜索关键词： | 气隙式膜体声 谐振器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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