[发明专利]铜制程金属沟槽的制作方法有效
| 申请号： | 202011174770.X | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112382607B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 许涛;叶荣鸿;刘立尧;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铜制程金属沟槽的制作方法，包括步骤：在底层结构上依次形成第一无氮抗反射涂层(NFDARC)、金属硬质掩膜层和第二NFDARC层；进行第一次光刻工艺定义出第一部分金属沟槽开口的形成区域；进行第一次刻蚀工艺形成底部停止在第一NFDARC层的表面的第一部分金属沟槽开口；进行第一次灰化工艺将第一光刻胶图形去除；进行第二次光刻工艺定义出第二部分金属沟槽开口的形成区域；进行第二次刻蚀工艺形成底部停止在第一NFDARC层的表面的第二部分金属沟槽开口；进行第二次灰化工艺将第二光刻胶图形去除。本发明能采用2次曝光两次刻蚀形成金属沟槽的金属硬质掩膜层开口且能避免光刻去胶工艺对金属硬质掩膜层开口的关键尺寸的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 铜制 金属 沟槽 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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