[发明专利]一种制备高纯度多孔石墨的方法有效
申请号: | 202011175564.0 | 申请日: | 2020-10-27 |
公开(公告)号: | CN114477160B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 金先波;王志勇 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | C01B32/205 | 分类号: | C01B32/205;C01B32/21 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 吴楚 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种制备高纯度多孔石墨的方法,先用电化学方法将无定形碳石墨化,得到嵌有MX颗粒的石墨基复合材料,然后将所得复合材料在含氧气氛中进行氧化处理,所得氧化处理后的固体冷却后进行洗涤,除去其中的电解质杂质,即得到多孔石墨材料。本发明能够适用于含杂原子较高的无定形碳电化学石墨化后的除杂,极大地拓展了无定形碳前驱体的来源,可使用可再生资源,更加节能环保;除杂效果好,能够实现电解质的全部去除,得到极高纯度的多孔石墨;得到的多孔石墨存在片层石墨之间的堆积孔,片层石墨上本身也有孔,能够应用于多种领域。应用于离子嵌入型电极材料时,具有很好的容量及倍率性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 纯度 多孔 石墨 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学,未经武汉大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011175564.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。