[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202011176040.3 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112002674B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 吴涵涵;操梦雅;金起凖 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底；所述半导体衬底内至少包括中压区域，所述中压区域包括第一中压区和第二中压区；形成栅极结构于所述第一中压区和所述第二中压区上；形成侧墙结构于所述栅极结构的两侧；形成光阻层于所述半导体衬底上，所述光阻层包括至少一开口，所述开口暴露所述第一中压区或所述第二中压区；进行离子掺杂步骤，以形成源极和漏极，对所述光阻层进行减薄处理，通过倾斜离子注入的方式在所述第一中压区或所述第二中压区内形成第一轻型掺杂区。本发明提出的半导体器件的制造方法可以改善光阻对离子注入的阻挡效应，提高器件的性能，同时节约成本，简化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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