[发明专利]基于硅片双凹槽结构的太阳能电池栅线激光诱导印刷方法有效
申请号: | 202011176805.3 | 申请日: | 2020-10-29 |
公开(公告)号: | CN112382676B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 张宪民;单译琳;陈炀;李凯 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 雷芬芬 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于硅片双凹槽结构的太阳能电池栅线激光诱导印刷方法,包括:使用激光在硅片上刻蚀双凹槽结构以限制栅线印刷区域,利用激光诱导银浆薄膜在透明基片和双凹槽限制区域之间产生银浆桥,使激光沿着凹槽间隔区域延伸方向扫描,从而实现对银浆桥的拓展。通过垂直移动透明基片对银浆桥进行拉伸,直至银浆桥断裂,最终在硅片上获得具有高精度、高高宽比的栅线。本发明相比于传统的丝网印刷技术,能够降低成本,减少破损率。相比于原有的激光诱导转移方法,由于凹槽的存在,银浆和硅片的接触区域被限制在了凹槽间隔区域内。因此可以获得宽度更加稳定,具有更高精、更高高宽比的栅线。 | ||
搜索关键词: | 基于 硅片 凹槽 结构 太阳能电池 激光 诱导 印刷 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的