[发明专利]基于硅片双凹槽结构的太阳能电池栅线激光诱导印刷方法有效

专利信息
申请号: 202011176805.3 申请日: 2020-10-29
公开(公告)号: CN112382676B 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 张宪民;单译琳;陈炀;李凯 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 雷芬芬
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于硅片双凹槽结构的太阳能电池栅线激光诱导印刷方法,包括:使用激光在硅片上刻蚀双凹槽结构以限制栅线印刷区域,利用激光诱导银浆薄膜在透明基片和双凹槽限制区域之间产生银浆桥,使激光沿着凹槽间隔区域延伸方向扫描,从而实现对银浆桥的拓展。通过垂直移动透明基片对银浆桥进行拉伸,直至银浆桥断裂,最终在硅片上获得具有高精度、高高宽比的栅线。本发明相比于传统的丝网印刷技术,能够降低成本,减少破损率。相比于原有的激光诱导转移方法,由于凹槽的存在,银浆和硅片的接触区域被限制在了凹槽间隔区域内。因此可以获得宽度更加稳定,具有更高精、更高高宽比的栅线。
搜索关键词: 基于 硅片 凹槽 结构 太阳能电池 激光 诱导 印刷 方法
【主权项】:
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