[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202011176938.0 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112750947A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 葛卫伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工业园区新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一些实例涉及一种用于形成半导体装置的方法。所述方法包括在衬底上方形成图案界定堆叠，图案界定堆叠包括转移层、布置在转移层上方的中间层以及布置在中间层上方的图案化层。所述方法更包括在图案化层中形成第一开口以暴露出中间层的上部表面，以及穿过第一开口用至少部分各向同性刻蚀剂来刻蚀中间层以形成凹进空腔。所述方法更包括在中间层和图案化层上方形成保形层以填充第一开口，以及利用各向异性刻蚀来刻蚀保形层和转移层以在转移层中形成第二开口。所述方法还包括在第二开口中沉积硬掩模材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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