[发明专利]一种槽栅功率半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011177624.2 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112086517A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 乔明;陈勇;张发备;周号 | 申请（专利权）人： | 珠海迈巨微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 霍淑利 |
| 地址： | 519085 广东省珠海市高新区唐家*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种槽栅功率半导体器件，包括元胞区、栅极引出部分和终端区，所述元胞区和所述栅极引出部分具有多个间隔设置的沟槽，所述沟槽包括连续设置的沟槽前端和沟槽末端，所述沟槽末端的形状为水滴状，并且每个所述沟槽末端的宽度比沟槽前端的宽度宽。所述沟槽分为栅电极部分和栅极引出部分，所述栅极引出部分将栅极和外部相连，沟槽末端的形状为水滴状，并且沟槽末端的宽度比沟槽前端的宽度宽，增大了曲率半径，从而避免了更薄的绝缘层产生，抑制了泄漏电流的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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