[发明专利]一种高效制单相Mg2

摘要

本发明涉及一种高效制单相Mg2(Si，Sn)基中温热电材料的方法，包括以下步骤：1)配料：按照合金原子比Mg∶Sn/Si＝2∶1进行配料，2)原始铸锭熔炼：在‑0.5MPa氩气气氛下，加热到1500℃，使混合均匀的Si和Sn颗粒在感应熔炼坩埚中融化；浇注所得的铸锭再重复熔炼2次得到原始铸锭；3)高温度梯度定向凝固：将原始铸锭转移至定向凝固装置的石墨管中采用向下抽拉石墨管的方式进行定向凝固，其中，熔区高度为15mm，加热温度为1200℃，温度梯度为160‑180K/cm，抽拉速度为1.0‑1.2μm/s；本方法工艺流程简单、成本低、制备效率高、制得的成品合金中各成分均匀、工艺耗时较短，具有较好的应用前景。