[发明专利]一种GaN HEMT功率器开关时间测试中栅极震荡优化方法在审
| 申请号： | 202011178834.3 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112285520A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 罗景涛;严可为 | 申请（专利权）人： | 西安众力为半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/327 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 王营超 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种GaN HEMT功率器开关时间测试中栅极震荡优化方法，属于栅极震荡优化技术领域，GaN HEMT器件源极管脚处将栅源电流Igs和漏源电流Ids的共源对地回路进行分割，漏源电流Ids的对栅极驱动电压Vgs的干扰回路被隔离，栅源电流Igs对栅极驱动电压Vgs的影响，此时栅极驱动电压 |
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| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 功率 开关时间 测试 栅极 震荡 优化 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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