[发明专利]一种双沟道半导体器件有效
| 申请号： | 202011178840.9 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112186037B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 罗景涛;严可为 | 申请（专利权）人： | 西安众力为半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 王营超 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双沟道半导体器件，上方AlGaN材料薄层、GaN材料薄层和下方AlGaN材料薄层依次叠加构成三叠层材料结构的器件核心，在两处材料交界界面构成二维电子气上沟道和二维电子气下沟道。本发明双沟道半导体器件，在不增加器件管芯面积，不增加额外的制造工艺复杂度前提下，仅以AlGaN/GaN/AlGaN或GaN/AlGaN/GaN这样的三叠层结构为核心，就可以构造出新型的双沟道半导体器件。由于二维电子气上沟道的导通电流必然会受到紧邻的二维电子气下沟道电信号的影响，二维电子气上沟道就可以用来作为一种寄生的电流传感器，用于监控以上沟道导电为主的器件的工作状态。对于GaN功率器件来说，可以提供对器件的监控保护功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 半导体器件 | ||
【主权项】：
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