[发明专利]一种IGBT器件背面保护环结构在审
| 申请号： | 202011178851.7 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112133742A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 罗景涛;严可为 | 申请（专利权）人： | 西安众力为半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 王营超 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT器件背面保护环结构，包括划片道和漂移区，所述划片道内侧设有终端保护结构，终端保护结构内部分别设有N型短路区和P型集电区，漂移区顶部两侧分别设有第一P型掺杂保护终端和第二P型掺杂保护终端，第一P型掺杂保护终端和第二P型掺杂保护终端中间分别设有P型掺杂集电区和N型掺杂逆导短路区。本IGBT器件背面保护环结构，在不增加器件制作成本的前提下，将原来制作于IGBT器件正面的保护性器件结构，即保护环或终端，转移到器件的背面去实现，非常有效和综合地利用了半导体芯片的正反两面，能够在同等面积情况下，达到具有更大的器件导通电流，电特性表现上增强，扩大了发射区面积的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 背面 保护环 结构 | ||
【主权项】：
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