[发明专利]一种流量传感器芯片的制造方法有效
申请号: | 202011179416.6 | 申请日: | 2020-10-29 |
公开(公告)号: | CN112501593B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 陈志宝 | 申请(专利权)人: | 长芯科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;G03F7/20 |
代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 张静汝 |
地址: | 200000 上海市嘉定区*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供的一种流量传感器芯片的制造方法,包括步骤:基底,采用光刻法对铺设于基底表面的光刻胶进行显影形成光刻区域,再利用深反应离子刻蚀法刻蚀光刻区域至基底内部,在基底表面形成有至少一个用于制作空腔的槽体;在基底表面和槽体内壁形成保护层;利用聚酰亚胺填充槽体,且所填充高度大于等于槽体的高度;采用干法回刻法去除保护层表面的聚酰亚胺,使聚酰亚胺的表面与保护层表面处于同一水平面;采用等离子体增强化学气相淀积法对聚酰亚胺表面和保护层表面沉淀形成有隔离层;通过对聚酰亚胺加热,使聚酰亚胺固化收缩与隔离层之间形成空腔。本发明具有良好的结构稳定性,适合大批量生产的效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 流量传感器 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的