[发明专利]一种基于双坩埚法生长稀土倍半氧化物晶体的方法和装置在审
| 申请号： | 202011179598.7 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112281214A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 尹延如;王贵吉;陶绪堂 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/12;C30B11/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明涉一种基于双坩埚法生长稀土倍半氧化物晶体的方法和装置，生长方法包括步骤如下：提供铼坩埚，用于盛放原料；在铼坩埚外套设钨坩埚，作为主发热体，与铼坩埚构成双坩埚；利用双坩埚作为生长装置，采用熔体法进行晶体生长，得到稀土倍半氧化物晶体。生长装置包括生长炉本体，生长炉本体设置有炉腔，炉腔内设置有铼坩埚，铼坩埚外套设有钨坩埚。本发明用双坩埚替换铼坩埚，既能防止原料与钨坩埚发生反应，又能降低铼坩埚的损耗，更重要的是可以减薄铼坩埚的壁厚，大大降低生产成本，同时生长出大尺寸、高质量(Ln |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 坩埚 生长 稀土 氧化物 晶体 方法 装置 | ||
【主权项】：
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