[发明专利]一种基于放电等离子烧结的氮化硅/碳化钛陶瓷材料制备方法有效
| 申请号： | 202011180494.8 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112266251B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 肖光春;张帅;陈照强;许崇海;衣明东;张静婕 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 李筝 |
| 地址： | 250353 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明具体涉及一种基于放电等离子烧结的氮化硅/碳化钛陶瓷材料制备方法。氮化硅基陶瓷材料具有良好的机械性能及稳定性，制备高性能的Si |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 放电 等离子 烧结 氮化 碳化 陶瓷材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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