[发明专利]钙钛矿薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202011180725.5 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112289932A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 于振瑞 | 申请（专利权）人： | 无锡极电光能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/48;H01L51/42 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 周红 |
| 地址： | 214101 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了钙钛矿薄膜及其制备方法和应用。其中，该制备方法包括：(1)利用近空间升华法在基底上形成金属卤化物薄膜；(2)利用溶液法在所述金属卤化物薄膜形成有机卤化物薄膜；(3)对步骤(2)得到的基底材料进行干燥、退火处理，以便使金属卤化物和有机卤化物发生固相晶化反应形成钙钛矿薄膜。采用该方法制得的钙钛矿薄膜中，钙钛矿材料晶粒尺寸显著增大，结晶方向一致性高，晶界缺陷密度低，具有更好的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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