[发明专利]一种低选择性的BPSG和PETEOS薄膜的蚀刻液有效

专利信息
申请号: 202011181031.3 申请日: 2020-10-29
公开(公告)号: CN112410036B 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 张庭;贺兆波;郝晓斌;李鑫;万杨阳;王书萍 申请(专利权)人: 湖北兴福电子材料有限公司
主分类号: C09K13/08 分类号: C09K13/08;C09K13/10;H01L21/311
代理公司: 宜昌市三峡专利事务所 42103 代理人: 成钢
地址: 443007 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种低选择性的BPSG和PETEOS薄膜的蚀刻液,主要成分包括氢氟酸、有机溶剂、含氟化合物、胺类。本发明的蚀刻液中氢氟酸用于蚀刻BPSG和PETEOS薄膜;有机溶剂用于降低蚀刻液对BPSG和PETEOS薄膜的蚀刻速率,使蚀刻反应易于控制;含氟化合物作为氟离子缓释剂,提供氟离子,稳定蚀刻液的蚀刻速率和延长蚀刻液的使用寿命;胺类用于降低BPSG薄膜的蚀刻速率,使BPSG和PETEOS薄膜的蚀刻速率选择比接近于1。本发明所述的蚀刻液能够使BPSG和PETEOS薄膜的蚀刻速率选择比稳定在1.1±0.2。
搜索关键词: 一种 选择性 bpsg peteos 薄膜 蚀刻
【主权项】:
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