[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 202011182557.3 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112289814B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 金玉;李磊;陆蕴雷;马明冬;张鹏辉 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置，阵列基板包括：衬底基板，所述衬底基板包括显示区和边缘区，所述边缘区包括切割预留区和绑定区，所述绑定区位于所述显示区和所述切割预留区之间；位于所述显示区和所述边缘区上的平坦化层，且所述平坦化层暴露所述切割预留区和所述绑定区；位于部分所述切割预留区上且与所述平坦化层接触的电极间隔件；电极层，位于所述显示区上且位于所述平坦化层背离所述衬底基板一侧的表面；与所述绑定区电学连接的若干绑定连接线，所述绑定连接线自所述绑定区沿着所述平坦化层的顶面延伸至所述切割预留区上；相邻的所述绑定连接线之间的所述切割预留区上具有所述电极间隔件。所述阵列基板能够避免显示区出现暗线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司，未经昆山国显光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011182557.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
