[发明专利]一种检测熔体泄漏的方法、系统及存储介质在审

专利信息
申请号: 202011182638.3 申请日: 2020-10-29
公开(公告)号: CN112281209A 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 全弘湧 申请(专利权)人: 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B29/06
代理公司: 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 代理人: 沈寒酉;李斌栋
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明实施例公开了一种检测熔体泄漏的方法、系统及存储介质;该方法可以包括:在生产单晶硅硅棒的过程中,对拉晶炉内用于检测熔体泄漏的检测目标的状态参数进行检测;当检测到的状态参数发生变化时,判断所述状态参数的变化特征;相应于所述变化特征满足设定的判定准则,确定所述拉晶炉中的石英坩埚内的熔体发生泄漏现象。
搜索关键词: 一种 检测 泄漏 方法 系统 存储 介质
【主权项】:
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