[发明专利]加热腔结构和硅片处理设备在审
申请号: | 202011182874.5 | 申请日: | 2020-10-29 |
公开(公告)号: | CN112251737A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 左国军;梁建军;候岳明 | 申请(专利权)人: | 常州捷佳创精密机械有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/50;C23C16/44;C23C16/54;H01L21/67 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰 |
地址: | 213133 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种加热腔结构和硅片处理设备。其中,加热腔结构包括:加热腔体,用于提供真空环境,加热腔体的侧壁上设有通孔;隔离套管,由通孔伸入加热腔体内,隔离套管的至少一端位于加热腔体外;加热器,加热器的发热部分设于隔离套管内,加热器的引线端由隔离套管位于加热腔体外的一端伸出;连接组件,用于固定隔离套管和加热器;其中,隔离套管与连接组件使加热腔体的内部与加热器以及外部大气隔离。本发明的技术方案,通过隔离套管与连接组件的配合实现了内部真空环境与外部大气环境的隔离,使得加热器的引线可在大气环境中接线,有效缓解了放电现象,可提高使用电压,有利于降低加热器的接线负担。 | ||
搜索关键词: | 加热 结构 硅片 处理 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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