[发明专利]半导体装置及其形成方法

摘要

提供了半导体装置及其形成方法。该方法可包括形成层叠结构，该层叠结构可包括层叠区域和阶梯区域并且可包括交替地层叠的第一层和第二层。第二层可在阶梯区域中具有阶梯形状，并且阶梯区域可包括至少一个平坦区域和至少一个倾斜阶梯区域。该方法还可包括形成覆盖层叠结构的封盖绝缘层。该封盖绝缘层可包括具有第一上表面的第一封盖区域以及具有在比第一上表面低的水平处的第二上表面的第二封盖区域。该方法还可包括将封盖绝缘层图案化以形成多个突起，然后将封盖绝缘层平坦化，多个突起中的至少一个与阶梯区域交叠。