[发明专利]半导体器件高度分布的检测方法有效
| 申请号： | 202011183882.1 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112331574B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 张鹏真 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件高度分布的检测方法，其包括如下步骤：提供一数据库，所述数据库包括半导体器件表面图像的像素点RGB值与所述半导体器件表面高度的关系；提供一被测样品，并获取所述被测样品的表面图像；提取所述被测样品的表面图像的像素点RGB值，作为测量值；在所述数据库中获取所述测量值对应的半导体器件的表面高度，进而获得所述被测样品的高度分布。本发明的优点在于，获取所述被测样品的表面图像的像素点RGB值，利用被测样品的表面图像的像素点RGB值与半导体器件表面高度的关系获得半导体器件表面高度分布，而不需要直接测量半导体器件表面高度，其测量速度快，测量精度高，且能够测量整个晶圆，无局限性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 高度 分布 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
