[发明专利]一种大功率发光芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 202011184252.6 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112002789B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 徐晓丽;刘芳;孙雷蒙;杨丹 | 申请（专利权）人： | 华引芯（武汉）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大功率发光芯片及其制作方法，属于半导体光电子技术领域。所述大功率发光芯片依次包括外延片、第一电流扩展层、反射层、第二电流扩展层、阻挡层、钝化层、金属层以及电极；所述电极包括P电极和N电极，电流从高浓度向低浓度方向进行第一次扩展，所述第二电流扩展层经过图形化处理，结合第一电流扩展层的第二次电流扩展，能使电流从P电极（电流高浓度）完全扩展至离P电极较远的边缘发光区（电流低浓度），从而电流能在发光区均匀分布，提高大功率芯片可靠性，电流扩展就能更加均匀，同时还可以减薄第一电流扩展层的厚度，以提高光效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 发光 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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