[发明专利]光刻显影的方法在审

专利信息
申请号: 202011185746.6 申请日: 2020-10-29
公开(公告)号: CN112327584A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 贺晓彬;张青竹;李博;刘金彪;张兆浩;李亭亭;李俊峰;杨涛 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G03F7/30 分类号: G03F7/30
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 金铭
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及光刻工艺技术领域,具体涉及一种光刻显影的方法光刻显影的方法,包括以下步骤:在晶圆上涂敷光刻胶并对光刻胶进行曝光;然后对晶圆进行显影;控制晶圆旋转,并对显影处理后的晶圆进行冲洗;将冲洗处理后的晶圆甩干;其中,在冲洗过程中,晶圆在预设时间内在第一转速和第二转速之间交替变化。将晶圆的转速进行了分段式交替变化,避免冲水过程中,晶圆的过高转速对光刻胶表面造成的损伤。
搜索关键词: 光刻 显影 方法
【主权项】:
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