[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011186698.2 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN113113488A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 宋炫昇;金太烈;白在职 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/48;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：栅电极，在衬底上并在第一方向上延伸；源极/漏极图案，在第二方向上彼此间隔开，其中栅电极介于源极/漏极图案之间；栅极接触部，电连接到栅电极；以及有源接触部，电连接到源极/漏极图案中的至少一个。该有源接触部包括：下接触图案，电连接到源极/漏极图案中的至少一个，下接触图案在第一方向上具有第一宽度；以及上接触图案，电连接到下接触图案的顶表面，上接触图案在第一方向上具有小于第一宽度的第二宽度。上接触图案和栅极接触部彼此水平重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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