[发明专利]一种MEMS气体敏感结构及其制备工艺方法在审
| 申请号： | 202011187079.5 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112505098A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 刘宇航;汪震海;张晨生;彭渤;许诺 | 申请（专利权）人： | 北京机械设备研究所 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 梁田 |
| 地址： | 100039 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种MEMS气体敏感结构及其制备工艺方法，MEMS气体敏感结构包括衬底、金属电极层和气敏层，金属电极层通过在衬底上经过溅射‑图形化‑腐蚀工艺而形成，气敏层为在金属电极层上通过物理气相沉积(PVD)与溶液滴涂或旋涂工艺制备，并经过图形化后形成气敏材料薄膜，该气敏材料薄膜由过渡金属氧化物薄层和有机高分子薄膜复合形成。本发明的MEMS气体敏感结构基于过渡金属氧化物和高分子有机物复合后形成的薄膜作为气敏层，可在常温条件下实现对多种气体的敏感，相比于传统的金属氧化物气敏材料，可大幅改善其场景可用性，并可降低系统的复杂度，且气敏结构的制备基于标准MEMS工艺，易于实现标准化和批量化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 气体 敏感 结构 及其 制备 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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