[发明专利]一种功率半导体器件的元胞结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202011187521.4 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112151600B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 高秀秀;邱乐山;李诚瞻;齐放;戴小平 | 申请（专利权）人： | 湖南国芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;金淼 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体器件的元胞结构及其制造方法，所述元胞结构包括：位于第一导电类型衬底表面上的第一导电类型外延层；位于外延层中部两侧预设结深的第二导电类型基区；位于第二导电类型基区表面之上并与外延层中部接触的沟道层；位于沟道层表面之上的势垒层；位于靠近外延层中部的势垒层之上的介质层以及介质层之上的栅极金属；位于远离外延层中部的势垒层之上的源极金属，其中源极金属与栅极金属之间采用绝缘层隔离；位于所述第一导电类型衬底底部的漏极金属。本发明通过设置AlGaN/GaN异质结，大幅增加了沟道载流子迁移率，减小了导通电阻，由于未设置栅极氧化层，避免了栅氧失效对器件可靠性影响，具有更高的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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