[发明专利]半导体结构的刻蚀方法有效
| 申请号： | 202011187636.3 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112185814B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 梁梦诗;蒋燚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的刻蚀方法，包括提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底及衬底上的UTM叠层，所述UTM叠层包括依次形成在衬底上的第一低介质氧化层、第二低介质氧化层及刻蚀停止层；在UTM叠层上形成图案化的光刻胶层，采集光刻胶层的透光率；对UTM叠层进行主刻蚀，刻蚀第二低介质氧化层并停止在第一低介质氧化层；将透光率代入过刻蚀方程，得到过刻蚀工艺参数并反馈至工艺腔，以对UTM叠层进行过刻蚀，使刻蚀停止在刻蚀停止层。本发明提供的半导体结构的刻蚀方法通过对不同半导体结构的透光率和过刻蚀工艺参数之间的关系进行拟合得到过刻蚀方程，从而计算并调整对半导体结构进行过刻蚀时的工艺参数，进而改善半导体结构的刻蚀精度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
