[发明专利]单晶锭的制造方法和单晶晶片的制造方法在审
| 申请号： | 202011188769.2 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112746323A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 森山隼;阿部淳;丹野雅行;桑原由则 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00;C30B15/36;C30B11/14;G01N29/06;G01N29/07 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蔡晓菡;梅黎 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够以良好的成品率制造结晶性优异的单晶锭的单晶锭的制造方法、和能够制造器件特性优异的晶片的单晶晶片的制造方法。本发明的单晶锭的制造方法包括：准备第一单晶锭的步骤；从第一单晶锭切出评价用基板102和晶种用锭103，在晶种用锭上形成投影面104的步骤；对评价用基板102测定局部音速，在评价用基板上的测定的音速的测定值为规定范围内的位置配置正常点105的步骤；在投影面上配置正常点105的映射107的步骤；从晶种用锭切出包含通过正常点105的映射107且与晶体生长轴平行的直线的晶体片109的步骤；和将晶体片109用作晶种制作第二单晶锭的步骤。本发明的单晶晶片的制造方法包括将通过本发明的单晶锭的制造方法制造的第二单晶锭切片制作单晶晶片的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶锭 制造 方法 晶片 | ||
【主权项】：
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