[发明专利]通过回流填充材料进行沟槽填充在审
| 申请号： | 202011190662.1 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN113078110A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 陈文彦;王立廷;谢宛蓁;卢柏全;黄泰钧;张惠政;杨育佳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及回流填充材料进行沟槽填充。一种方法，包括在基底结构上方形成第一突出鳍和第二突出鳍，其中，沟槽位于第一突出鳍和第二突出鳍之间，沉积延伸到沟槽中的沟槽填充材料，以及对沟槽填充材料执行激光器回流工艺。在回流工艺中，沟槽填充材料的温度高于沟槽填充材料的第一熔点，并且低于第一突出鳍和第二突出鳍的第二熔点。在激光器回流工艺之后，沟槽填充材料被凝固。该方法还包括对沟槽填充材料进行图案化，其中，沟槽填充材料的剩余部分形成栅极堆叠件的部分，以及在栅极堆叠件的一侧上形成源极/漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 回流 填充 材料 进行 沟槽 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
