[发明专利]一种具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法在审
| 申请号： | 202011191645.X | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112382710A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 张骏;岳金顺;梁仁瓅 | 申请（专利权）人： | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 丁倩 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外LED及其制备方法，该具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外LED由下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、量子阱有源层、阶梯型电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层。沿量子阱有源层到p型AlGaN空穴注入层的方向上，阶梯型电子阻挡层依次包括第一AlGaN阻挡层、GaN阻挡层和第二AlGaN阻挡层，第一AlGaN阻挡层的Al组分含量百分数大于量子阱有源层中势垒的Al组分含量百分数，且第二AlGaN阻挡层的Al组分含量百分数大于或等于第一AlGaN阻挡层的Al组分含量百分数。本发明通过引入阶梯型电子阻挡层结构，提升了电子阻挡层的等效势垒高度，缓解了电子溢流效应，从而提高了深紫外LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 阶梯 电子 阻挡 结构 深紫 led 制备 方法 | ||
【主权项】：
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