[发明专利]测试结构、测试结构版图及其形成方法和测试方法在审
| 申请号： | 202011192438.6 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112310071A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 邹立 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/66;G01R31/27;G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种测试结构、测试结构版图及其形成方法和测试方法，通过设计测试结构版图，在形成测试结构时，可以将第一金属层、第一接触结构、第二金属层、第二接触结构和第三金属层之间连接，并形成多个通路，从而可以通过形成的通路对各所述第一接触结构进行测试。在测试方法中，通过测量第一金属层与第三金属层之间的电流值，可以有效的确定第一接触结构是否存在缺陷，从而能够根据测量的结果有效的反映实际的SRAM器件中接触孔工艺的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 版图 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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