[发明专利]加脊方同轴基片集成波导互连装置

摘要

本发明提供了一种加脊方同轴基片集成波导互连装置，包括外导体、内导体，外导体与内导体之间设置有介质；所述加脊方同轴基片集成波导互连装置的物理结构自上而下分为五层，第一层为金属层L1，第二层为介质层L2，第三层为金属层L3，第四层为介质层L4，第五层为金属层L5。本发明所述的加脊方同轴基片集成波导结构为准封闭式结构，采用TEM模式传输信号，可以用作电路板级/芯片级的互连线电路，相比于方同轴基片集成波导互连结构，本发明所述加脊方同轴基片集成波导互连装置继承了损耗小、时延串扰低、抗电磁干扰能力强的优点，且有效减小了结构尺寸并拓宽的主模带宽，适合于吉比特以上的高速数据传输。