[发明专利]改善扩散方阻单片均匀度的低压扩散工艺有效
| 申请号： | 202011193978.6 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112466985B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 郭世成;朱彦斌;陶龙忠;杨灼坚 | 申请（专利权）人： | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明一种改善扩散方阻单片均匀度的低压扩散工艺，采用管式低压扩散氧化炉制备，包括如下步骤：S1、低温常压进舟：S2、抽真空：S3、两次交替低温低压充氮氧化：S4、三次推结：S5、低温低压氧化：S6、充氮降温升压：S7、出舟。该工艺改善了扩散方阻单片均匀度，使硅片内P‑N结生长均匀一致，提高氧化吸杂效果的，减少了少数载流子的复合中心数量，提高少数载流子寿命，达到提升电池片效率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 扩散 单片 均匀 低压 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
