[发明专利]半导体晶圆外延生长装置及其工作方法在审
| 申请号： | 202011194799.4 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112663138A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 杨军伟;宋华平;陈蛟;黄敏;王文军;简基康;陈小龙 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C30B25/12;C30B25/16;C30B25/18;C30B25/20;C30B28/14;C30B29/36;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 陈培琼 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶圆外延生长装置及其工作方法，半导体晶圆外延生长装置包括外延生长系统和光学表面分析系统，外延生长系统包括生长腔体和石墨基座，光学表面分析系统包括石墨盘转速探测器、电机反馈系统、信号分析系统、斜入射激光器、正入射激光器和第一、第二信号接收器。本发明中的石墨基座带动晶圆旋转，并结合正入射激光器和斜入射激光器的入射激光辐照，通过第一、第二信号接收器接收激光信号并反馈至信号处理系统进行对比和分析，能更精确地实时在线检测晶圆整个表面上的缺陷信息，从而根据反馈的缺陷信息进行即时工艺参数优化，提高产品良率；而且光学表面分析系统采用外侧结构，不受高温影响，工作稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 外延 生长 装置 及其 工作 方法 | ||
【主权项】：
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