[发明专利]一种提高发光效率的GaN基LED外延结构在审

专利信息
申请号: 202011195544.X 申请日: 2020-10-31
公开(公告)号: CN112436078A 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 程立文;罗雨中;李侦伟;曾祥华;林星宇 申请(专利权)人: 扬州大学
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;B82Y40/00
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 邹伟红
地址: 225009 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种提高发光效率的GaN基LED外延结构,该外延结构的发光层由势垒层和量子阱层交替构成,其中,势垒层命名为GaN‑AlxGa1‑xN‑GaN势垒层,简称GAG势垒层,按生长顺序该势垒层依次由GaN势垒、AlxGa1‑xN势垒和GaN势垒构成,AlxGa1‑xN势垒中的x沿生长方向从0到0.15再到0渐变。本发明采用GAG势垒结构可以在不增大器件发光层内的极化电场的情况下,有效提高势垒层对发光层中载流子的限制能力,从而达到提高GaN基LED的光电性能的目的。
搜索关键词: 一种 提高 发光 效率 gan led 外延 结构
【主权项】:
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