[发明专利]一种倒三角势垒的GaN基LED外延结构及其生长方法在审
| 申请号： | 202011195545.4 | 申请日： | 2020-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN112436079A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 程立文;张曦晨;李侦伟;曾祥华;林星宇 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种倒三角势垒的GaN基LED外延结构及其生长方法，该发光层由势垒层和量子阱层交替构成，其中，势垒层为GaN‑In |
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| 搜索关键词： | 一种 三角 gan led 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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