[发明专利]一种包含电子存储层的GaN基LED外延结构及其生长方法

摘要

本发明公开了一种包含电子存储层的GaN基LED外延结构及其生长方法，在InyGa1‑yN/GaN发光层与AlGaN电子阻挡层之间设置InxGa1‑xN电子存储层，其中InxGa1‑xN中的x值为0.05。本发明在发光层的最后一层势垒层与电子阻挡层之间引入一层InxGa1‑xN量子势阱层作为电子存储层。引入电子存储层后，InGaN材料的引入会在电子阻挡层与GaN势垒之间形成一个电子势阱，该势阱可以储存大量泄漏电子，可以有效减少器件的俄歇复合效率，可以增大与电子阻挡层之间的极化电场，能够有效提高电子阻挡层的有效高度，可以更好地对电子进行限制；最终可以提高GaN基LED的光电性能。