[发明专利]一种富氮碳化硅粉料及其制备方法与应用

摘要

本发明提供了一种富氮碳化硅粉料及其制备方法与应用，该富氮碳化硅粉料中氮含量为1.0×1018～1.0×1020atoms/cm3，该富氮碳化硅粉料的粒径为10～200μm。该富氮碳化硅粉料中氮含量较高，可作为原料用于N型碳化硅晶体的生长，有效避免了由于外界通入氮气，容易导致晶体氮掺杂均匀性差的问题。该制备方法通过控制一定的压力和温度，将碳化硅粉料进行稳定的氮化处理，使得碳化硅粉料吸附有较多的氮源，得到的N型碳化硅晶体电导率较均匀、导电稳定、缺陷少，晶体质量高，将其用于晶体衬底和电子器件中有效提高了晶体衬底的质量和电子器件的工作性能。