[发明专利]一种具有双向ESD保护能力的SGT MOSFET器件在审
| 申请号： | 202011197260.4 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112164721A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;赵一尚;胡汶金;林泳浩;李伟聪 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 彭西洋;袁曼曼 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有双向ESD保护能力的SGT MOSFET器件，包括元胞结构，所述元胞结构包括从下至上依次层叠的漏极金属、N+衬底、N型漂移区、源极金属；所述N型漂移区上表面一侧形成沟槽栅极结构，沟槽栅极结构包括从上至下依次设置的N+Poly栅极、P型轻掺杂一区、N型轻掺杂区、P型轻掺杂二区、N型源极接触区。本发明在传统的SGT MOSFET结构以及多晶硅多掺杂的纵向MOSFET结构的基础上，实现对功率MOS器件的开关性能和ESD保护性能两种性能的同时改进。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 双向 esd 保护 能力 sgt mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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