[发明专利]一种基于Sb化物的中短波双色红外探测器及其制备方法

摘要

本发明公开一种基于Sb化物的中短波双色红外探测器及其制备方法，本发明提出的基于Sb化物的中短波双色红外探测器的结构包括GaSb衬底和沉积于GaSb衬底上的外延结构，外延结构从下至上包括：Te掺杂N型GaSb缓冲层，中波红外InAs/GaSb超晶格N型层，中波红外InAs/GaSb超晶格非故意掺杂吸收层，中波红外InAs/GaSb超晶格P型层，短波红外GaSb体材料P型层，短波红外GaSb体材料非故意掺杂吸收层，短波红外GaSb体材料N型层，本发明采用NIPPIN型背靠背双二极管结构，可通过偏压调制实现对短波红外和中波红外的分别探测，采用两个厚度大于等于1.5μm的吸收层可提高吸收系数从而提高量子效率和探测率，且探测器结构简单，制备工艺简单，可重复性强，成本低，利于规模化生产。