[发明专利]薄膜晶体管的设计方法在审
| 申请号： | 202011199617.2 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112307625A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 卢年端;李泠;姜文峰;耿玓;王嘉玮;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G16C60/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘歌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管的设计方法，该方法包括计算搜索到的材料的特征参数；根据特征参数阈值筛选材料得到第一有源层材料；将第一有源层材料作为薄膜晶体管器件模型中的有源层材料进行模拟，得到薄膜晶体管器件的器件特征；根据器件特征阈值筛选第一有源层材料得到第二有源层材料；将第二有源层材料作为薄膜晶体管器件的有源层材料进行实验；当实验结果不符合预设要求时，选择另一种第二有源层材料再次进行实验，直至实验结果符合预设要求时完成薄膜晶体管器件的设计。本发明通过简单的方法可以获得大量的薄膜晶体管器件有源层材料相关的物理物性及相应的有源层材料数据库，为研究薄膜晶体管器件特性提供理论指导。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 设计 方法 | ||
【主权项】：
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