[发明专利]三维存储器的控制方法、装置及存储介质有效
| 申请号： | 202011200027.7 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112562761B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王军红;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种三维存储器的控制方法、装置及存储介质。其中，方法包括：选择三维存储器的一个存储阵列块中的一个存储单元；对选择的存储单元进行读取操作或写操作；其中，在该过程中，对选定的字线施加第一电压，对选定的位线施加第二电压，对选择的存储阵列块中所有未选定的字线均施加第三电压，对选择的存储阵列块中所有未选定的位线均施加第四电压；在第一电压、第二电压、第三电压及第四电压的作用下，使得施加在选择的存储单元对应的位线与字线上的电压差大于选择的存储单元的选择器的阈值电压，且施加在选择的存储阵列块中所有未被选择的存储单元对应的位线与字线上的电压差均小于预设电压；预设电压小于阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 控制 方法 装置 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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