[发明专利]波导耦合型单载流子探测器在审
申请号: | 202011200268.1 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112310237A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 叶焓;韩勤;肖峰;王帅;陆子晴;肖帆 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/105 | 分类号: | H01L31/105;H01L31/0232 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 孙蕾 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开提供一种波导耦合型单载流子探测器,包括:衬底;波导区,包括:波导下包层,形成于所述衬底之上;以及耦合波导层,形成于所述波导下包层之上,用于与外部光源进行低损耗耦合;以及探测器区,包括:光学匹配层,形成于所述耦合波导层之上,用于对光场模式进行转换与耦合;光吸收层,形成于所述光学匹配层之上,用于吸收光场能量并产生载流子以及形成P型接触表面;载流子收集层,形成于所述光吸收层上方,作为电子的快速渡越区域;带隙过渡层,形成于所述光吸收层与载流子收集层之间,用于降低光吸收层和载流子收集层两者的能带高度差;以及顶部N型层,形成于载流子收集层之上,作为收集光电流的N型金属接触层。 | ||
搜索关键词: | 波导 耦合 载流子 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的