[发明专利]一种半导体激光发射器在审
| 申请号： | 202011200779.3 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112310810A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 雷述宇 | 申请（专利权）人： | 宁波飞芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315500 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光器，其特征在于，包括：第一DBR层，第二DBR层，配置于所述第一DBR层与所述第二DBR层之间的量子阱有源区；还包含降低寄生电容特性的出光限制孔，本发明将现有技术的氧化限制孔变换为降低寄生电容特性的出光限制孔，例如采用空气、氮气等等气体作为出光限制孔的填充材料，如此通过与现有技术的氧化限制孔相比，本发明材料的介电常数仅为氧化物的1/4，因此按照寄生电容的计算公式，通过本发明的方案可以从最底层的设计中在相同的限制孔尺寸下将氧化限制孔的寄生电容减小为原来的1/4，这样对于TOF激光测距中的需要高功率和快的调制速率场景适应将非常有用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 激光 发射器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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