[发明专利]栅极的制造方法在审
| 申请号： | 202011201919.9 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112382564A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 孟祥国;胡秀梅;陆连 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅极的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底上形成第一栅介质层和非晶硅层；步骤二、在非晶硅层表面上形成硬质掩膜层，根据后续非晶硅栅的的各侧面的横向位置收缩选择硬质掩膜层的材质，使硬质掩膜层的硬度变软且保证后续栅极刻蚀后使硬质掩膜层的侧面位于对应的非晶硅栅的侧面内侧或相平；步骤三、光刻定义出栅极的形成区域；步骤四、依次对硬质掩膜层和非晶硅层进行刻蚀实现栅极刻蚀。本发明能控制非晶硅栅顶部的硬质掩膜层的形貌，使硬质掩膜层的侧面位于对应的非晶硅栅的侧面内侧或相平，从而有利于非晶硅栅的关键尺寸的测量并提高非晶硅栅的关键尺寸的测量精度和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
