[发明专利]整合不同厚度的栅介质层的制造方法在审
| 申请号： | 202011201972.9 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN114446879A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陆连;朱轶铮;孟祥国 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种整合不同厚度的栅介质层的制造方法，厚度最薄的所述栅介质层之外的各种厚度对应的栅介质层分别采用如下步骤形成：步骤一、形成第一掩膜层；步骤二、对第一掩膜层进行刻蚀形成第一开口；步骤三、对第一开口底部的半导体衬底进行刻蚀形成第二凹槽；步骤四、形成第二材料层将第二凹槽和第一开口填满；步骤五、将第二材料层回刻到和半导体衬底的顶部表面高度相平并作为栅介质层的组成部分；步骤六、去除第一掩膜层；采用上述步骤一至步骤六完成各种厚度的栅介质层后，使不同厚度的所述栅介质层顶部表面的台阶高度减小或消除。本发明能使不同厚度的栅介质层的顶部表面平齐，有利于后续栅极形成。 | ||
| 搜索关键词： | 整合 不同 厚度 介质 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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