[发明专利]一种光电探测器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种光电探测器的制造方法，包括步骤：第一步，于晶圆硅正面形成绝缘层（2），绝缘层下晶圆硅为硅衬底层（1）；第二步，按照预设的图案，刻蚀出贯穿于绝缘层层（2）、伸入硅衬底层（1）的凹槽（3）；第三步，在凹槽（3）内填充材料锗，生长出锗探测层（4）；对晶元硅背面进行整体减薄，直到界面处有缺陷（5）的锗探测层也被去除。本发明还涉及上述制造方法制造的光电探测器。本发明主要是通过工艺和结构的改进，以获得优质的光电二极管的探测层，并且使得光电探测器表面的暗电流得以降低，提高光电探测器的质量和探测性能。